磁控濺射鍍膜機(jī)是應(yīng)用最廣泛的PVD沉積設(shè)備，可用于各種單層膜、多層膜和摻雜膜系?？慑兏鞣N硬質(zhì)膜、金屬膜、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜、介質(zhì)復(fù)合膜和其他化學(xué)反應(yīng)膜，亦可鍍鐵磁材料。該設(shè)備主要用于實(shí)驗(yàn)室制備光學(xué)膜層，電學(xué)，光電膜層及其它功能膜層，以及制備用于生長(zhǎng)納米材料的催化劑薄膜層。該設(shè)備廣泛應(yīng)用于大專院校及相關(guān)科研機(jī)構(gòu)。

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產(chǎn)品詳情

參數(shù)

　　一、應(yīng)用領(lǐng)域

　　磁控濺射鍍膜機(jī)是應(yīng)用最廣泛的PVD沉積設(shè)備，可用于各種單層膜、多層膜和摻雜膜系。可鍍各種硬質(zhì)膜、金屬膜、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜、介質(zhì)復(fù)合膜和其他化學(xué)反應(yīng)膜，亦可鍍鐵磁材料。該設(shè)備主要用于實(shí)驗(yàn)室制備光學(xué)膜層，電學(xué)，光電膜層及其它功能膜層，以及制備用于生長(zhǎng)納米材料的催化劑薄膜層。該設(shè)備廣泛應(yīng)用于大專院校及相關(guān)科研機(jī)構(gòu)。

　　二、性能參數(shù)：

　　1. 極限真空壓力:5×10^-5Pa;

　　2. 磁控靶：直徑Φ50-Φ150;數(shù)量：2-4只;

　　3. 靶單位面積功率:(W/cm2)5～20;

　　4. 靶電源功率(W):DC500-5000W，RF500-1000W;

　　5. 基片加熱溫度:0～500℃可控;

　　6. 恢復(fù)真空抽氣時(shí)間(分):從大氣至5×10^-4Pa<30min;

　　7. 工藝氣體：MFC 1-4路;

　　8. 樣品架：公轉(zhuǎn)或公自轉(zhuǎn);

　　9. 其它配置：偏壓、膜厚儀、薄膜規(guī)、磁控靶電(氣)動(dòng)擋板可選;

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