該設(shè)備為Φ1200x6000水冷真空腔室，配移動(dòng)式公自轉(zhuǎn)工裝架，工裝架裝載量10-20只，公自轉(zhuǎn)工裝架點(diǎn)對(duì)點(diǎn)自動(dòng)運(yùn)行；設(shè)備帶偏壓清洗及輔助沉積功能，工藝加熱溫度300℃；設(shè)備配5只圓柱靶或內(nèi)裝平面靶；可鍍Au、Ag、AL、Mo、Cu、Ti等多種底層金屬，及由AL、Ti、Si等構(gòu)成的多層陶瓷膜；系統(tǒng)滿足光干涉膜、金屬陶瓷膜等多種選擇性吸熱膜的研制和小批生產(chǎn)。

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產(chǎn)品詳情

參數(shù)

　　一、設(shè)備特點(diǎn)：

　　該設(shè)備為Φ1200x6000水冷真空腔室，配移動(dòng)式公自轉(zhuǎn)工裝架，工裝架裝載量10-20只，公自轉(zhuǎn)工裝架點(diǎn)對(duì)點(diǎn)自動(dòng)運(yùn)行；設(shè)備帶偏壓清洗及輔助沉積功能，工藝加熱溫度300℃；設(shè)備配5只圓柱靶或內(nèi)裝平面靶；可鍍Au、Ag、AL、Mo、Cu、Ti等多種底層金屬，及由AL、Ti、Si等構(gòu)成的多層陶瓷膜；系統(tǒng)滿足光干涉膜、金屬陶瓷膜等多種選擇性吸熱膜的研制和小批生產(chǎn)。

　　二、性能參數(shù)：

　　1. 工件長度：長度規(guī)格2米、4米

　　2. 不銹鋼金屬管直徑范圍：Φ70mm-120mm

　　3. 吸收率≥95%

　　4. 發(fā)射率 ≤9%（300℃）

　　5. 鍍膜方式：磁控濺射沉積選擇性吸收膜

　　6. 設(shè)備產(chǎn)能：2萬支/年（20只裝）

　　7. 極限真空：8x10-4Pa，本底真空：3.2x10-3Pa；

　　8. 工藝加熱溫度：300℃ 鎧裝加熱組件；

　　9. 磁控靶：5個(gè)；

　　10. 磁控電源：直流 1套中頻 2套；

　　11. 偏壓電源：1套；